IRFS3206TRRPBF 与 IPB029N06N3 G 区别
| 型号 | IRFS3206TRRPBF | IPB029N06N3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFS3206TRRPBF | A-IPB029N06N3 G |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 60 V 300 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 9.25mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3mΩ@75A,10V | 2.3mΩ |
| 零件号别名 | - | IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GXT SP000453052 |
| 上升时间 | - | 120ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 165nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 75S |
| 封装/外壳 | D2PAK | - |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C |
| 连续漏极电流Id | 210A | 120A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 10mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 下降时间 | - | 20ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 6540pF @ 50V | - |
| 高度 | - | 4.4mm |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 300W(Tc) | 188W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 62 ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | HEXFET® | OptiMOS3 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 6540pF @ 50V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 170nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 35ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 170nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS3206TRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@75A,10V N-Channel 60V 210A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
PSMN004-60B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 230W 175°C 3V 60V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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PSMN3R0-60BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 306W 175°C 3V 60V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
PSMN004-60B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 230W 175°C 3V 60V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BUK763R1-60E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 293W 175°C 3V 60V 120A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IPB029N06N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 120A 2.3mΩ 20V 188W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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